igbt和mosfet区别

IGBT和MOSFET都是半导体器件，但是它们的结构和应用领域不同，MOSFET的结构可以做到电流很大，可以到上kA,但是前提耐压能力没有IGBT强，IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了，不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品。

在特性参数上，MOSFET和IGBT的主要区别体现在以下9个方面：在低电流区，MOSFET的导通电压低于IGBT;在大电流区IGBT的正向电压特性优于MOSFET;IGBT具有较高的输入阻抗；IGBT具有较低的导通电阻；IGBT具有较高的反向恢复时间；IGBT具有较高的饱和压降；IGBT具有较低的漏电流；IGBT具有较高的最大工作温度；IGBT具有较低的最大结温。