mosfet和igbt的区别

MOSFET和IGBT都是半导体器件，但是它们的结构、特性、损耗、频率、应用领域等方面都有所不同，MOSFET是一种场效应晶体管，其导通是由栅极电压控制的，而IGBT则是一种功率晶体管，它结合了MOSFET和双极晶体管的优点，具有高输入阻抗、高开关速度和低导通电阻 。